Samsung lanserer Mobile DRAM med høyeste kapasitet


Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the highest-capacity mobile DRAM - the industry's first 12-gigabyte (GB) low-power double data rate 4X (LPDDR4X) package - optimized for tomorrow's premium smartphones. Featuring higher capacity than most ultra-thin notebooks, the new mobile DRAM will enable smartphone users to take full advantage of all the features in next-generation smartphones.

'Med masseproduksjon av den nye LPDDR4X gir Samsung nå et omfattende utvalg av avansert minne for å drive den nye epoken for smarttelefoner, fra 12 GB mobil DRAM til 512 GB eUFS 3.0-lagring,' sa Sewon Chun, konserndirektør for Memory Marketing hos Samsung Elektronikk. 'Med LPDDR4X styrker vi dessuten vår posisjon som den premium mobile minneprodusenten best posisjonert for å imøtekomme raskt voksende etterspørsel fra globale smarttelefonprodusenter.' Takket være 12 GB mobil DRAM, kan smarttelefonprodusenter maksimere potensialet for enheter som har mer enn fem kameraer og stadig større skjermstørrelser, så vel som kunstig intelligens og 5G-evner. For smarttelefonbrukere muliggjør 12 GB DRAM mer flytende multitasking og raskere søk når de navigerer gjennom et utall apper på ultra-store høyoppløselige skjermer. I tillegg gir 1,1 millimeter tykkelsen enda slankere smarttelefondesign.

12 GB-kapasiteten ble oppnådd ved å kombinere seks 16-gigabit (Gb) LPDDR4X-brikker basert på andre generasjons 10nm-klasse (1y-nm) prosess i en enkelt pakke, noe som ga mer plass til smarttelefonbatteriet. Ved å bruke selskapets 1y-nm-teknologi leverer det nye 12 GB mobilminnet en dataoverføringshastighet på 34,1 GB per sekund, samtidig som økningen i strømforbruk minimeres uunngåelig forårsaket av en økning i DRAM-kapasiteten.

Since introducing 1GB mobile DRAM in 2011, Samsung continues to drive capacity breakthroughs in the mobile DRAM market, moving from 6GB (in 2015) and 8GB (2016) to today's first 12GB LPDDR4X. From its cutting-edge memory line in Pyeongtaek, Korea, Samsung plans to more than triple the supply of its 1y-nm-based 8GB and 12GB mobile DRAM during the second half of 2019 to meet the anticipated high demand.