Micron tapes ut 128-lagers 3D NAND Flash-minne



Micron Technology has taped out its 4th generation 3D NAND flash memory with 128 layers. This paves the way for mass production and product implementations in 2020. The 4th gen 3D NAND by Micron continues to use a CMOS-under-array design, but with Replacement Gate (RG) Technology instead of Floating Gate, which Micron and the erstwhile IMFlash Technology had been using for years. Micron is currently mass-producing 96-layer 3D NAND flash, and TLC remains the prominent data-storage physical layer despite the advent of QLC (4 bits per cell).

Micron kommenterer at denne fjerde gen-128-lags 3D-NAND vil være en stopgap begrenset til noen utvalgte applikasjoner, og kanskje ikke se den typen adopsjon som den nåværende 96-lagsbrikken. Selskapet ser ut til å være mer fokusert på utviklingen, muligens 5. generasjon 3D NAND, som forventes å gi konkrete gevinster per pris for selskapet, ettersom det går over til en nyere silisiumproduksjonsnode, og implementerer enda nyere teknologier foruten RG. 'Vi oppnådde våre første avkastningsformer ved å bruke erstatningsport eller' RG 'på kort. Denne milepælen reduserer risikoen for vår RG-overgang ytterligere. Som en påminnelse vil vår første RG-node være 128 lag og brukes til et utvalg sett av produkter. Vi forventer ikke at RG vil levere betydelige kostnadsreduksjoner før FY2021 når vår andre generasjons RG-node er bredt distribuert. Følgelig forventer vi minimale kostnadsreduksjoner i NAND i FY2020. Vår tilnærming til produksjonsutvikling i RG vil optimalisere avkastningen på NAND-kapitalinvesteringene, sier Sanjay Mehrotra, administrerende direktør og president i Micron.
Source: AnandTech